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用真空热处理法增进石墨包裹奈米钴晶粒之包覆良率

用真空热处理法增进石墨包裹奈米钴晶粒之包覆良率

作     者:邓茂华 林春长 

作者单位:台湾大学地质科学系 台湾大学地质科学系 

会议名称:《中国颗粒学会2002年年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会》

会议日期:2002年

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

关 键 词:真空热处理 奈米晶粒 电弧法 石墨 

摘      要:石墨包裹奈米钴晶粒是具有独特几何构造的复合材料,粒径分布在5~50nm之间(少数可达到100nm),其核心部分为钴金属晶体,外覆数层到数十层的石墨外壳,具有耐强酸、耐高温(在无氧状态下)与超顺磁性等特性。用电弧法来制造此类材料,虽然可以提高初产物的产量(其中包含碳杂质与未包裹好的晶粒),但包裹良好的比例仍然只能达到10%左右,本工作利用石墨在高温下会发生石墨化作用的特性,将初产物再经过真空热处理后,可以有效地将包覆良好之产品比例提升至25%以上,真空热处理的结果显示,最佳热处理温度并不是前人所认为的钴金属催化石墨化的最佳温度600℃,而是较低温的500℃左右。

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