强流RFQ加速器注入器的研究进展

作     者：彭士香 张萌 赵捷 徐蓉 任海涛 吕鹏南 宋执中 于金祥 袁忠喜 郭之虞 

作者单位：北京大学物理学院重离子物理研究所核物理与核技术国家重点实验室 

会议名称：《2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会》

会议日期：2008年

学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：基金委面上项目10675015资助 

关 键 词：注入器 发射度 流强 传输效率 微波离子源 LEBT 

摘      要：用于中子照相的2MeV RFQ加速器要求注入器提供50mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2π.***,α=1.93,β=5.16cm/rad。为实现注入器的优化设计,我们建设了用于研究2.45GHz的永磁微波离子源特性的离子源实验台(短台)和用于研究束流输运的低能束流输运线(LEBT)实验台(长台)。两个实验台均具备束流测量、发射度研究和离子比分析等功能。除此之外,LEBT还可以研究束流输运效率。当微波功率小于450W时,微波源引出氢离子流的总流强大于80mA,质子比好于90%。束流的归一化均方根发射度约为0.2～0.3π.***。利用该台还研究了源室的尺度和放电室内衬材料对放电的影响,为源体的优化提供了依据。LEBT实验台使用了一个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%。