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Dember effect induced photovoltage in Oxide p-n junctions

Dember effect induced photovoltage in Oxide p-n junctions

作     者:Jin Kui-juan~1 Zhao Kun~2 Lu Hui-bin~1 Liao Leng~1 Yang Guo-zhen~1 (1 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics,Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China 2 Department of Mathematics and Physics,China University of Petroleum,Beijing 102249,China) 

会议名称:《第七届全国光学前沿问题讨论会》

会议日期:2007年

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学] 

摘      要:An unusual and rather large transient lat- eral photovoltage(LPV)is observed in LaSr MnO/SrNbTiO and LaSrOMnO/Si hetero- junctions under the nonuniform irradiation of pulsed laser. The irreversible LPVs on both sides of a p-n junction

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