线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析
会议名称：《第十三届全国物理力学学术会议》
会议日期：2014年
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要：在用532nm连续激光辐照TCD 1200D线阵CCD的过程中,发现了光斑的全饱和单侧拖尾现象,该拖尾区别于以前描述的一些拖尾现象,仅存在于光斑一侧,从光斑到末端由粗变细;整个拖尾区灰度饱和。为了分析这种现象的特性,实验测量了拖尾长度随激光功率和CCD积分时间的变化曲线,发现随着激光功率/积分时间的增加,拖尾长度逐渐增加,但增加的速率逐渐降低,这与CCD单元电荷收集量随激光强度/积分时间的变化关系相一致,说明拖尾信号源于CCD中激光光斑辐照单元收集的光生电荷量,起因是光生电荷量的转移损失。同时通过理论计算和实验数据分析拟合发现,拖尾长度h与CCD器件的驱动频率无关,而只与激光功率I0与积分时间t的乘积有关,并找出了它们的对应关系,为全饱和单侧拖尾现象机理分析提供了数据支持。