原位氯化物产生法生长的CrSi2纳米线的场发射性能研究
作者单位：南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室 南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室 南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室 南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室 南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室
会议名称：《中国化学会第26届学术年会纳米化学分会场》
会议日期：2008年
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
摘 要：正一维纳米材料具有大的长径比,产生显著的场增强效应,十分有利于电子的场发射[1]。硅化铬（CrSi2）材料具有高熔点、高硬度、高的抗氧化性、低的功函数（3.9eV）和类似金属的导电性[2],其性能十分有利于场发射。因此,CrSi2一维纳米结构可能是性能优良的场发射材料,这方面的研究还