CH+ interacting with fusion material silicon carbide:MD stud...
CH+ interacting with fusion material silicon carbide:MD study
作 者：HE Ping-ni1,2, SUN Wei-zhong3, ZHAO Chen-li1,2, LIU Hua-min3, ZHANG Jun-yuan3, LIN Li-wei3, LV Xiao-dan1, F. Gou 3,4 1Institute of Plasma Surface Interactions, Guizhou University, Guiyang 550025, China 2College of science, Guizhou University, Guiyang 550025, China 3Key Lab of Radiation Physics & Technology Ministry of Education, Chengdu 610064, China 4FOM Institute for Plasma Physics, 3439 MN Nieuwegein, the Netherlands
会议名称：《第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会》
会议日期：2010年
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
关 键 词：fusion molecular dynamics CH films retention density
摘 要：Due to its high thermal conductivity,chemical inertness,extreme hardness and high-temperature stability,silicon carbide has been used in
1、借阅数量：每证可借书6册，期刊2册，团体读者证可借书刊300册。
2、借阅时间：个人借期为30天，每本书可续借1次，借期为30天；团体借期为90天。
3、归还地点：3楼服务台、自助借还设备、还书箱、各分馆
4、馆际互借：读者未能在本馆获取所需文献资料，可至参考咨询阅览室服务台填写《南通市图书馆馆际互借读者申请表》，根据馆际互借协议，我馆将为读者向其他馆代借文献。馆际互借过程中所产生的费用（资料复印、邮寄费等），由读者个人承担。
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