Pd-Si薄膜系统中的相变及其热力学解释
作者单位：汕头大学理学院物理系 奥地利科学院埃里克施密德材料科学中心
会议名称：《中国真空学会2014学术年会》
会议日期：2014年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：金属Pd诱导非晶硅(a-Si)晶化,实现了在较低温度下制备多晶硅薄膜。实验上发现,在退火条件下,Pd晶界以及Pd与(单晶)Si衬底的界面处会形成金属间化合物PdSi。本文研究了Pd-Si薄膜体系中的相变,利用界面热力学理论分析了金属Pd诱导非晶硅晶化的机制,并解释了化合物在Pd晶界和Pd/Si界面交界处形成的原因。