掺As氮化镓薄膜的蓝光发射特性研究
作者单位：中国科学技术大学结构分析开放实验室 中国科学技术大学物理系 School of Physics and Astronomy University of NottinghamNottingham NG7 2RD United Kingdom
会议名称：《第九届全国发光学术会议》
会议日期：2001年
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：由于宽禁带系氮化镓(GaN)材料具有较强的化学键、耐高温、抗腐蚀等优越性质,因此其在高亮度发光器件、高温大功率晶体等领域有着很大的应用前景。对等电子As掺杂的GaN薄膜的研究主要出于以下的考虑,GaN和GaAs可以形成三元的GaNAs体系,其禁带宽度随着As含量的增加而下