半导体器件的中子辐射效应研究
作者单位：华南理工大学物理科学与技术学院 华南理工大学物理科学与技术学院 华南理工大学物理科学与技术学院 华南理工大学物理科学与技术学院
会议名称：《2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会》
会议日期：2007年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
关 键 词：半导体器件 中子辐射 位移效应 电离效应 位移损伤函数 辐照容限 抗辐射
摘 要：中子辐射在器件制作工艺和抗辐射研究中占有重要的地位．本文介绍了半导体器件的中子辐射效应, 包括位移效应和电离效应,分析了国内外半导体器件中子辐射的研究状况,对国内中子辐射的研究进展提出了期望．