自旋极化诱导的低维体系电子结构
作者单位：吉林大学原子与分子物理研究所
会议名称：《第五届全国计算原子与分子物理学术会议》
会议日期：2014年
学科分类：07[理学] 070203[理学-原子与分子物理] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(编号:11374004) 霍英东青年教师基金(编号:142001)的资助
摘 要：正电子自旋极化引起的不饱和成键,是分子体系奇异电子结构的重要来源,尤其是分子磁性产生的基础。这即是第一性原理理论研究的兴趣和挑战所在,同时在材料科学、生命科学等领域极具应用价值。在本报告中将展示在分子体系自旋极化研究方面的新进展。我们发现了吸附碳原子缺陷能引起低维碳分子体系的自旋极化现象[1],并发现这一结论与电子展开基函数存在部分的依赖关系[2];基于这种吸附原子缺陷,进一步预测了限域