中长波InAsSb红外探测器国内外研究进展
作者单位：中国科学院上海技术物理研究所
会议名称：《长三角地区科技论坛激光分论坛暨上海市激光学会2011年学术年会》
会议日期：2015年
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要：InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注。对中长波红外波段的探测而言,InAsSb材料的探测器在室温下也具有很高的探测率,同时InAsSb探测器具有比HgCdTe探测器更高的响应速度。这些优势使得InAsSb探测器可制成非致冷型红外探测器,容易实现仪器的小型化,大大降低成本。本文对中长波InAsSb红外探测器国内和国外的研究近况作一简要评述,从而显示出在中长波红外波段InAsSb材料广阔的应用前景。