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等离子体离子注入硬件设计应用的几个误区——(1)高压脉冲电源

等离子体离子注入硬件设计应用的几个误区——(1)高压脉冲电源

作     者:田修波 Paul k.Chu 杨士勤 

作者单位:哈尔滨工业大学材料学院 香港城市大学物理及材料科学系 哈尔滨工业大学材料学院 

会议名称:《2002年中国材料研讨会》

会议日期:2002年

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:航天基金(No.970951-093) 

关 键 词:等离子体注入 高压脉冲电源 

摘      要:离子粒入是一种有效的表面优化方法。但由于离子行走轨迹的“视线性,它的应用在一定程度上受到了限制,尤其对于大面积注入和非规则形状工件处理。自20世纪80年代末,等离子体注入技术的出现使得离子注入研究与应用有了新的热点。该技术利用工件浸没于等离子体并利用等离子体鞘层加速的概念,使得大面积注入和“保型处理成为可能。注入可以方便对于复杂形状物体进行而无需工件操作。该技术不仅适用于金属材料、半导体,我们的研究表明它也适用于绝缘材料的处理,如塑料、陶瓷等等。为了均匀注入并避免打火现象,脉冲高压注入多为人们采用。由于鞘层加速的特殊物理本质,使得注入处理对高压脉冲波形、脉冲电源提出了特殊的要求。注入的效果、如表面污染,剂量分布、能量分布等等均与电源特性有关。本文就高压脉冲电源设计与应用中可能的几个误区进行了讨论研究,这里包括高压开关的位置,上升/下降电路时间特性、脉宽、电压幅值等对处理结果和表面特性的影响等等。

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