溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响
作者单位：贵州大学电子科学与信息技术学院
会议名称：《第六届中国功能材料及其应用学术会议》
会议日期：2007年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：采用射频磁控溅射技术在 Si(100)衬底上沉积了 Si-Ca-Si 薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相 CaSi 薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面(断面)形貌的影响,并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：CaSi 薄膜为立方结构且具有沿(111)向择优生长的特性,当溅射功率为120W 时,CaSi 薄膜变的均匀、致密,在400～800 nm 波长范围内,溅射功率对折射率 n 和吸收系数 k 的影响较小。