Ⅲ族氮化物发光二极管在多孔硅上的生长-南通市图书馆

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Ⅲ族氮化物发光二极管在多孔硅上的生长

作者单位：香港科技大学电子及计算机工程学系光电子中心

会议名称：《第十一届全国MOCVD学术会议》

会议日期：2010年

摘要：目前在硅衬底上生长Ⅲ-N基器件受到了广泛关注。由于GaN异质结外延层和Si衬底之间存在明显晶格失陪和热失配,GaN层具有较大残余应力和很高的缺陷密度,这通常对器件性能造成显著影响。已有研究表明,在纳米量级尺度应用侧向外延技术可以提高Si上外延GaN的质量。但是由于工艺难

本地馆藏 |

1、借阅数量：每证可借书6册，期刊2册，团体读者证可借书刊300册。 2、借阅时间：个人借期为30天，每本书可续借1次，借期为30天；团体借期为90天。 3、归还地点：3楼服务台、自助借还设备、还书箱、各分馆 4、馆际互借：读者未能在本馆获取所需文献资料，可至参考咨询阅览室服务台填写《南通市图书馆馆际互借读者申请表》，根据馆际互借协议，我馆将为读者向其他馆代借文献。馆际互借过程中所产生的费用（资料复印、邮寄费等），由读者个人承担。 5、服务电话续借：59003605 59003606 咨询：81100100 59003600

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