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InGaN基LED中V形坑缺陷形成及其界面物理研究

InGaN基LED中V形坑缺陷形成及其界面物理研究

作     者:奉青青 

作者单位:江西科技师范大学 

学位级别:硕士

导师姓名:熊志华

授予年度:2024年

学科分类:08[工学] 0803[工学-光学工程] 

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