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θ短阵快速脉冲模式的重复经颅磁刺激对慢性精神分裂症认知功能及...

θ短阵快速脉冲模式的重复经颅磁刺激对慢性精神分裂症认知功能及听感觉门控P50的影响

作     者:梅佳 

作者单位:苏州大学 

学位级别:硕士

导师姓名:杜向东

授予年度:2018年

学科分类:1002[医学-临床医学] 100205[医学-精神病与精神卫生学] 10[医学] 

主      题:慢性精神分裂症 θ短阵快速脉冲模式 重复经颅磁刺激 随机双盲 认知功能 听感觉门控P50 

摘      要:目的:探讨θ短阵快速脉冲模式(theta burst stimulation,TBS)的重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)对慢性精神分裂症患者认知功能及听感觉门控P50的影响。方法:本研究为随机假刺激对照双盲临床研究。收集符合美国精神障碍诊断与统计手册第4版(DSM-Ⅳ)中精神分裂症诊断,且病程≥5年的慢性精神分裂症患者63例作为本次研究观察对象,随机分为TBS组和伪刺激组,其中TBS组32例,伪刺激组31例。两组均接受抗精神病药物治疗且研究期间维持原有抗精神病药物种类及剂量不变。TBS组接受专职重复经颅磁刺激操作人员实施相应的TBS模式rTMS治疗,每天治疗1次,连续治疗5天休息2天,持续治疗时间为4周,共治疗20次。伪刺激组接受伪刺激。所有受试者在基线期及4周末给予听感觉门控P50(sensory gating P50)电位测定及威斯康星卡片分类测验(Wisconsin card sorting test,WCST)、韦氏记忆量表(Wechsler memory scale,WMS)、阳性和阴性症状评分表(Positive and Negative Syndrome Scale,PANSS)、不良反应量表(Treatment Emergent Symptom Scale,TESS)评定。对比分析两组患者治疗前后认知功能及听感觉门控P50变化情况。结果:本研究共收集符合入组标准的慢性住院精神分裂症患者63例,其中有3例脱落,共有60例完成随访。1.两组患者在基线期及4周末PANSS评分变化情况比较:两组患者基线期PANSS总分、阳性量表分、阴性量表分及一般精神病理量表分两组间比较,差异均无统计学意义(P0.05)。在4周末时,TBS组阴性症状分量表分及PANSS总分降低,差异有统计学意义(P0.05)。2.两组患者在基线期及4周末认知功能变化情况比较:两组患者基线期WCST及WMS各项目评分,组间比较,差异均无统计学意义(P0.05)。在4周末时,TBS组患者WCST量表中完成分类数、正确应答数增加,错误应答数、持续性错误数减少,差异有统计学意义(P0.05)。在4周末时,TBS组及伪刺激组患者Cz位点各指标均无明显变化(P0.05),两组间差异无统计学意义(P0.05)。***组治疗前后阴性症状分量表分减分值与WCST、WMS变化指标的相关性分析:经过Pearson相关性检验,TBS组PANSS阴性症状分量表分减分值与WCST量表中完成分类数、正确应答数差值呈负相关,与持续错误数差值呈正相关;TBS组PANSS阴性症状分量表分减分值与WMS量表记忆商得分差值呈负相关。结论:***模式的rTMS可改善慢性精神分裂症患者阴性症状。***模式的rTMS可改善慢性精神分裂症患者认知功能,且认知功能的改善与慢性精神分裂症患者阴性症状的改善存在相关性。***模式的rTMS未能改善慢性精神分裂症患者听感觉门控P50的异常。***的rTMS模式用于慢性精神分裂症患者治疗未出现严重不良反应,安全性较高。

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