TD-LTE和LTE-FDD共存的干扰研究

作     者：王东 

作者单位：西安电子科技大学 

学位级别：硕士

导师姓名：杨家玮

授予年度：2010年

学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 0804[工学-仪器科学与技术] 081001[工学-通信与信息系统] 

主      题：TD-LTE LTE-FDD 共存 干扰 ACIR 吞吐量 

摘      要：LTE标准能够支持TDD和FDD两种双工模式,即TD-LTE和LTE-FDD。未来几年LTE将逐渐商用,两个LTE系统邻频共存的情况很可能出现,因此,研究TD-LTE和LTE-FDD系统的共存干扰很有实际意义,将来运营商在进行网络规划时,必须慎重考虑两个系统间的干扰问题,尽量减小共存带来的系统吞吐量损失,从而更有效地利用频谱资源。 本文主要对TD-LTE和LTE-FDD系统在相邻频段下共存时的干扰进行了研究。首先,通过对系统内和系统间干扰的分析,推导出了单系统和两系统共存时SINR的计算方法。然后结合3GPPTR 36.942中的仿真描述,通过MATLAB软件设计并实现了TD-LTE和LTE-FDD系统间干扰仿真。最后,分别从地理位置偏移、载波频率和功控参数对于两个LTE系统共存时相对吞吐量损失的影响对仿真结果进行了分析,并给出了干扰解决建议。