ZnSe薄膜的电沉积法制备及其性能表征

作     者：蔡晓锐 

作者单位：长春理工大学 

学位级别：硕士

导师姓名：宋博

授予年度：2009年

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

主      题：ZnSe薄膜 电化学沉积 正交实验 

摘      要：ZnSe晶体属直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体,在蓝光半导体激光器件、非线性光热器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。 使用MBE和MOCVD方法制备ZnSe薄膜的工艺已经比较成熟,但由于这两种方法需要昂贵的设备和很高的运行成本,所以不利于ZnSe薄膜制备技术的推广和发展。 本文采用恒电位沉积的方法以ZnCl和SeO的水溶液为电解液,在ITO透明导电玻璃基底上制备出接近化学计量的、纯立方相的ZnSe薄膜。考察了PH值、电流密度、沉积温度、n(Z)/n(SeO)浓度比、沉积时间等因素对ZnSe薄膜性能的影响。通过正交实验确定了制备ZnSe薄膜的最佳工艺条件:电解液的PH值为6、电解液的电流密度为***、电解液的温度为65℃、电解液的n(Zn/n(SeO)浓度比为250:1、沉积时间为10min。采用XRD、SEM、和UV-VIS对ZnSe薄膜的结晶形貌、透光率进行了表征。