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基于边沿效应的压缩晶体谐振带宽的方法研究

基于边沿效应的压缩晶体谐振带宽的方法研究

作     者:金瑜珍 

作者单位:西安电子科技大学 

学位级别:硕士

导师姓名:宣宗强;魏西峰

授予年度:2015年

学科分类:080904[工学-电磁场与微波技术] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主      题:边沿效应 恒温晶振 压缩谐振带宽 双晶体 

摘      要:传统的恒温晶体振荡器存在精度低、稳定度低、易老化等缺点。本文通过对普通恒温晶振进行分析研究,提出了以边沿效应模糊区为理论基础的压缩晶体谐振谱线带宽的方法,有效地解决了以上问题。从高分辨率的角度来看晶振的谐振频率不是一个点,而是一段区间,该方法的目的就是压缩这段区间,以提高晶振输出频率的精度。普通的晶体振荡器采用的是LC谐振器,而本论文设计的晶振中使用了两个晶振,一个用于选频,另一个用于稳频。晶振振荡起来后,通过调节选频晶振的谐振中心频率使两个晶振的谐振频率靠近,从而使这两个晶振谐振带宽的边沿处重叠,最终振荡电路振荡于这段重叠区域内,压缩了振荡范围,提高了精度。论文中设计了振荡电路、温度控制电路、测量振荡电路输出信号的方法。最终通过实验测量晶振的相噪,达到了减小相噪、提高精度的目的,证明了利用边沿效应可以压缩晶体的谐振带宽。

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