Au/SiO2复合纳米颗粒膜的制备和模板法制备SiO2纳米线

作     者：张秋霞 

作者单位：山东师范大学 

学位级别：硕士

导师姓名：李玉国

授予年度：2008年

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主      题：Au/SiO2 复合纳米颗粒膜 自组装 SiO2纳米线 

摘      要：在近十几年里,在氧化物基质上生长金属纳米颗粒,由于它们的化学物理特性可以由颗粒的大小、形状和相互作用来改变,引起了世界关注。特别是产生的表面效应和量子尺寸效应,极大的改变了它们的特性。在氧化物基质上生长的金属簇具有一些潜在的应用,比如在异质催化、气敏元件和电磁材料中有重要的应用。在这些金属一氧化物纳米复合材料中,以SiO为基质的金属纳米簇广泛应用在可控非线性集成光学器件上,这些器件的三阶磁化率χ在表面等离子体共振频率时显著增强。SiO是玻璃以及以硅为主的微电子器件和光纤的重要组成部分,在电子和光学器件上有着基本和潜在的应用,已逐渐成为一维纳米材料重要的候选者。目前,国内外有关薄膜形式的Au/SiO纳米粒子复合材料研究很少,因而具有相对比较广阔的研究领域。 本文采用磁控溅射技术制备金属纳米颗粒分散氧化物Au/SiO复合膜。采用此方法是由于溅射法是众多方法中最佳方法之一,它可以在低温和可控条件下获得均匀的表面覆盖,能够将Au颗粒均匀的分散到SiO基质中,比其它方法好的地方还有它能控制金属含量,使金属含量达到一个很高的值。我们还用自组装方法制备了生长一维纳米材料的模板,将Au/SiO纳米体系作为生长模板,基于VLS生长机制的催化辅助生长工艺生成SiO纳米线。 1.采用磁控溅射法后退火成功制备了表面均匀覆盖的Au/SiO复合纳米颗粒膜。并用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射方法(XRD)对不同温度退火后的Au/SiO复合薄膜的表面形貌、微观结构进行了表征。得出最佳的生长条件。 2.将复合膜1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70nm)的Au纳米点。半导体自组织量子点材料在光电子与微电子器件领域具有重要的作用。它是制备性能优良的光电子与微电子器件,如光纤通讯激光器、光电探测器、高电子迁移率晶体管、电光调制器等的主要选择对象之一。在众多的制备半导体量子点材料方法中,自组织方法生长量子点有许多特殊的优点,因而自组织Au纳米点的生长和物性表征成为目前低维半导体物理材料和器件研究领域一个热点课题。自组织生成的Au纳米点可作为生长一维纳米材料的模板。 3.在自组装的Au催化剂模板上生长SiO纳米线,直径约为100nm,长度约为4微米,表面光滑,直且粗细均匀。简要说明了纳米线生长的一般过程,纳米线生长过程符合VLS生长机制。