一种宽输入范围高PSRR的低压差稳压器研究与设计

作     者：徐万利 

作者单位：沈阳工业大学 

学位级别：硕士

导师姓名：辛晓宁

授予年度：2016年

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

主      题：低压差线性稳压器 LDO 宽输入范围 电源电压抑制比 

摘      要：论文研究基于国内工艺的应用于工业仪表的宽输入范围、高电源电压抑制比的低压差线性稳压器(LDO)芯片设计技术。工业仪表的供电电源变化范围很大,用于这种系统的稳压器既要求高耐压能力,又要能在低压差下工作。满足这种要求的芯片目前只有国外少数公司可以提供,因此课题的研究对于提高国产低压差稳压器的竞争力具有重要意义。论文首先介绍LDO的基本工作原理和发展趋势,重点介绍讨论了宽输入范围LDO的设计难点。为掌握关键技术,逆向分析了一种国外公司生产的LDO芯片,完成了电路提取和整理工作。为深入理解LDO电路的工作原理和设计方法,选择华虹HHNEC 0.35μm BCDMOS工艺对电路进行了仿真分析和工艺移植。仿真结果证明了前期工作的正确性。论文对其中主要功能模块,如带隙基准、内部电源、误差放大器和过温保护、过流保护等模块进行了深入分析,解释了其中的关键技术。利用国内工艺仿真实现了原芯片的功能和性能,并与原芯片进行了对比。论文还讨论了基于国内工艺设计与原芯片兼容的LDO芯片的可行性。