低相噪低杂散C波段频率源技术研究

作     者：张可 

作者单位：电子科技大学 

学位级别：硕士

导师姓名：张永鸿

授予年度：2010年

学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主      题：低相噪 低杂散 C波段 频率源 

摘      要：随着通信和雷达技术的发展,人们对接收机系统的要求越来越高,为接收机提供本振的信号源要求也随之提高。本文致力于研究低相噪低杂散C波段频率源特性,并对实验结果进行分析。 文章首先对低相噪低杂散微波频率源的发展动态进行介绍,然后对低相噪低杂散倍频源进行分析,阐述了相位噪声的概念、类型以及对接收机系统的影响。介绍了振荡器的相噪特性,倍频器和放大器对相噪特性的影响,同时对双平衡混频器用于倍频进行了理论分析,综合出实现低相噪特性的方案。另外,对倍频源中杂散特性进行了分析,并对链路中杂散产生的原因进行了详细说明,提出了解决问题的方法。在此基础上研制出了低相噪低杂散特性的C波段倍频源,5760MHz输出信号的相位噪声优于-115dBc/Hz@10kHz,杂散抑制优于81dBc,输出功率大于10dBm,工作稳定度高,可靠性强。同时研制了C波段上变频模块,5910MHz输出信号杂散抑制优于80dBc,输出功率10dBm。该倍频源可以作为更高频段频率源的参考信号。 文章同时对低相噪锁相源进行了介绍。从锁相源的发展动态、基本原理、主要结构入手,对相位噪声特性进行研究,分析了锁相环各部分对相位噪声的影响;同时对低杂散输出进行研究,分析了产生杂散的原因,提出了解决的方法。在此基础上研制了一个S波段锁相源,结构简单,体积小巧,性能稳定。S波段输出信号相位噪声优于-106dBc/Hz@10kHz,杂散抑制优于63dBc,输出功率大于10dBm,可以作为更高频段系统的第二本振信号。 这些结果证明,C波段和S波段输出相位噪声和杂散抑制度优于指标要求,验证了方案的合理性和可行性