存储器故障与可靠性试验研究

作     者：陈如意 

作者单位：广东工业大学 

学位级别：硕士

导师姓名：熊晓明;师谦

授予年度：2016年

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

主      题：集成电路 存储器 闪存测试 图形算法 故障模型 可靠性 

摘      要：存储器因其优良的性能,现在已经大规模地应用于数据处理、移动通信、嵌入式系统和智能设备等高新现代技术产业之中。存储器容量由八十年代的几KB,到如今的几个TB;尤其是最近几年,存储器的容量扩展的趋势更加之大;如今的存储器功能丰富,应用于各种高新技术之中,极大丰富了电子产品功能能。存储器存取速度速度、容量、功能在发生巨大变化,这些优质的存储器发展对其测试验证无疑提出了更高的要求。这些高性能的存储器容量大,存储单元密度增加而带来的单元之间干扰性概率增大,对存储器的可靠性保证提出了更高的要求。本文首先分析了国内外存储器发展状况以及集成电路测试系统,研究NAND闪存存储器的测试技术和半导体存储器故障模型,分析存储器全“1、全“0图形测试算法和奇偶图形检测方法,并在齐步图形的基础上优化而提出两者结合的齐步-走步测试算法。文中试验部分采用ATE测试系统对目标芯片NAND闪存进行AC\DC参数测试和功能测试,文中最后介绍了集成电路可靠性分析技术,以及结合试验数据对存储器耐久性可靠性进行分析,研究了存储器擦除对扇区可靠性的影响,以及在读写应力条件下,存储单元阈值点电压分布。文章通过对存储器工作原理分析,测试NAND Flash存储器DC/AC参数,同时提出改进了的齐步-走步图形算法,全覆盖测试存储单元,并优化了NAND为存存储器的可靠性技术,在测试数据的基础上研究电压应力条件与存储单元之间可靠性关系。