硅微通道板打拿极技术研究
作者单位：长春理工大学
学位级别：硕士
导师姓名：端木庆铎
授予年度：2010年
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：硅微通道板是90年代以后提出的一种全新的基于半导体工艺技术而形成的图像增强器件。与传统的玻璃微通道板相比,硅微通道板在技术上实现了重大突破——将衬底材料和打拿极材料相分开,同时也将微通道阵列和打拿极制备工艺分开。 本文主要研究了连续打拿极的二次电子发射特性和打拿极的制备。在工艺上,提出了干法和湿法两种制备打拿极的方法。干法制备打拿极是采用LPCVD在硅微通道板内壁形成多晶硅薄膜作为连续打拿极的导电层,再利用热敏化工艺形成SiO二次电子发射倍增层,流通了硅微通道板的整个工艺;湿法制备打拿极是以乙酸镁为原料,采用溶胶凝胶法在硅微通板上制备MgO薄膜作为打拿极的导电发射层。
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