波长1.3μm高速光电探测器研究
作者单位:电子科技大学
学位级别:硕士
导师姓名:刘永智
授予年度:2000年
主 题:光电探测器 响应度 光敏面 暗电流 液相外延生长 封装结构 有源区 钝化膜 上下电极 量子效率
摘 要:综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度性能,优化设计了GaInAs/I nP PIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作的关键 技术如:高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长;有源区的浅结扩 散技术;为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术;小光敏面的光耦合技术等,采用 同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InP PIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0.7A /W,暗电流小于5nA,其技术性能指标达到国际先进水平。