波长1.3μm高速光电探测器研究
作者单位：电子科技大学
学位级别：硕士
导师姓名：刘永智
授予年度：2000年
主 题：光电探测器 响应度 光敏面 暗电流 液相外延生长 封装结构 有源区 钝化膜 上下电极 量子效率
摘 要：综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度性能，优化设计了GaInAs/I nP PIN光电二极管的结构参数，解决了长波长高速光电探测器制作的关键 技术如：高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长;有源区的浅结扩 散技术;为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术;小光敏面的光耦合技术等，采用 同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InP PIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz，响应度为0.7A /W，暗电流小于5nA，其技术性能指标达到国际先进水平。
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