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Zn离子注入增强TiO2纳米管光电效应

Enhanced photoelectric effect of TiO_2 nanotube arrays modified by Zn implantation

作     者:梁宏 廖斌 马芙蓉 吴先映 张旭 刘安东 LIANG Hong;LIAO Bin;MA Furong;WU Xianying;ZHANG Xu;LIU Andong

作者机构:北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院北京100875 北京市辐射中心北京100875 

出 版 物:《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期:2010年第33卷第12期

页      面:903-907页

核心收录:

学科分类:07[理学] 0702[理学-物理学] 

主  题:TiO2纳米管 zn离子注入 光电效应 

摘      要:用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO_2纳米管阵列,用MEVVA源离子束技术在其上进行金属Zn离子的掺杂注入。用电镜观察离子束轰击对TiO_2纳米管阵列结构的影响。研究了掺杂前后TiO_2纳米管阵列在紫外光和可见光区域的光电效应。用全势线性缀加平面波(FP-LAPW)法讨论了TiO_2纳米管对可见光响应的机理。

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