p-n结势垒区高复合层存在的一个实验证据
An Experimental Envidence of Existence of High Recombination Layer in Depletion Region of p-n Junctions作者机构：云南大学物理系
出 版 物：《云南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Yunnan University(Natural Sciences Edition))
年 卷 期：1989年第4期
页 面：379-383页
核心收录：
主 题：势垒 p-n结 间接复合 复合过程 复合层 复合率 近似处理 载流子密度 驼峰曲线 直接复合
摘 要：求解p—n结势垒区复合电流解析表达式至今有二种近似处理方法:(1) 假设势垒区内各点均具有最大复合率并乘以势垒宽度。这样的计算虽然颇为粗糙,但它可以给出复合电流与外加电压的明确的函数关系,因而便于定量分析与势垒区复合过程相关的结特性。(2) 通过对势垒区复合率与载流子密度的关系的分析。
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