ICP刻蚀工艺在SiC器件上的应用

作     者：周燕萍 朱帅帅 李茂林 左超 杨秉君 ZHOU Yanping;ZHU Shuaishuai;LI Maolin;ZUO Chao;YANG Bingjun

作者机构：爱发科(苏州)技术研究开发有限公司江苏苏州215026 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2020年第39卷第11期

页      面：152-154,157页

学科分类：08[工学] 080202[工学-机械电子工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 

主　　题：碳化硅功率器件 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 沟槽结构 沟槽型功率场效应管 

摘      要：Si C作为第三代半导体材料的代表性材料,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性,使其在电力电子器件领域得到广泛关注。通过采用电感耦合等离子体(ICP)设备对4H-SiC材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用Si O2膜作为刻蚀掩模,SFx/O2作为刻蚀工艺气体,通过一系列工艺参数调整及刻蚀结果分析,得出了ICP源功率、RF偏压功率、氧气流量和腔体压强对Si C材料刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响,并得到最优工艺参数。对刻蚀样片进行后处理工艺,获得了底部圆滑、侧壁垂直的沟槽结构,该沟槽结构对4H-SiC功率UMOSFET性能优化起到关键性作用。