XRD研究Fe、C掺杂对He离子注入Al表面晶格畸变的影响
Effect of Fe and C Doping on the Lattice Distortion of He Ion Implanted Al Surface by XRD作者机构:中国工程物理研究院四川绵阳621900 表面物理与化学国家重点实验室四川绵阳621907
出 版 物:《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)
年 卷 期:2011年第40卷第9期
页 面:1610-1615页
核心收录:
学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
摘 要:用离子注入技术实现了Al表面Fe、C元素的掺杂,并用XRD研究Fe、C掺杂对He离子注入Al表面晶格畸变的影响。结果发现,预先掺杂的Fe、C在Al表面的晶格畸变中扮演重要角色,且影响程度与掺杂剂量有关。随着预先掺杂Fe剂量的增大,Al表面晶格畸变量先减小后增加,表明小剂量的Fe掺杂有助于降低He离子注入引起的晶格畸变。C掺杂后能进一步降低预先掺杂Fe引起的晶格畸变,降低程度随C剂量的增加而增加。可见,小剂量的Fe和高剂量的C共掺杂能有效降低He离子注入后Al表面的晶格畸变。