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XRD研究Fe、C掺杂对He离子注入Al表面晶格畸变的影响

Effect of Fe and C Doping on the Lattice Distortion of He Ion Implanted Al Surface by XRD

作     者:向鑫 陈长安 蒋春丽 Xiang Xin;Chen Chang'an;Jiang Chunli

作者机构:中国工程物理研究院四川绵阳621900 表面物理与化学国家重点实验室四川绵阳621907 

出 版 物:《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期:2011年第40卷第9期

页      面:1610-1615页

核心收录:

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金(50671017) 

主  题:Al XRD Fe、C掺杂 晶格畸变 

摘      要:用离子注入技术实现了Al表面Fe、C元素的掺杂,并用XRD研究Fe、C掺杂对He离子注入Al表面晶格畸变的影响。结果发现,预先掺杂的Fe、C在Al表面的晶格畸变中扮演重要角色,且影响程度与掺杂剂量有关。随着预先掺杂Fe剂量的增大,Al表面晶格畸变量先减小后增加,表明小剂量的Fe掺杂有助于降低He离子注入引起的晶格畸变。C掺杂后能进一步降低预先掺杂Fe引起的晶格畸变,降低程度随C剂量的增加而增加。可见,小剂量的Fe和高剂量的C共掺杂能有效降低He离子注入后Al表面的晶格畸变。

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