GaAs基3μm量子级联激光器有源区研究（英文）
λ～3 μm GaAs-based active region of quantum cascade laser作者机构：HGH红外系统公司法国伊尼91430 北京理工大学光电学院中国北京100081
出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)
年 卷 期：2013年第42卷第S2期
页 面：343-350页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 0804[工学-仪器科学与技术]
摘 要：通过10带k·p模型计算,设计了能够激发3μm波长的In x Ga1-x As1-y Ny/AlAs量子阱结构的量子级联激光器有源区。In x Ga1-x As1-y Ny/AlAs异质结结构具有极宽的导带阶跃(～1.5 eV),并且能够通过成熟的GaAs基工艺生长,因此采用这种结构制作短波量子级联激光器已成为研究热点。通过计算能带结构以及相应的波函数,发现当导带带阶非常大以致于第一激发态位于氮能级之上时,电子基态以及第一激发态会分裂为两条能级。正是由于这种效应的存在,提升了激光上能级的能量而促使激发波长缩短。通过一系列计算得出了一种最优化的基于In0.2Ga0.8As0.99N0.01/AlAs的三重耦合量子阱结构。在工作电压为65 kV/cm以及室温的条件下,最短的激光波长可以达到3μm。
维普期刊数据库
同方期刊数据库