正方形-FP耦合腔半导体激光器的激射及热特性研究

作     者：黄勇涛 马春光 郝友增 肖金龙 杨跃德 黄永箴 Huang Yongtao;Ma Chunguang;Hao Youzeng;Xiao Jinlong;Yang Yuede;Huang Yongzhen

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电工程中心北京100049 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2020年第47卷第7期

页      面：230-236页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(67874113.61935018) 

主　　题：激光器 半导体激光器 微腔 耦合腔激光器 单模激射 特征温度 

摘      要：理论分析并制备了1.31μm正方形-Fabry-Perot(FP)耦合腔半导体激光器,其中正方形腔作为FP腔的一个反射端面,其反射率可以通过改变注入正方形腔的电流调节。正方形模式和FP模式之间的模式耦合能够抑制其他边模,易于实现单模激射。实验获得的单模激射边模抑制比最高为38 dB,其波长调谐范围为6 nm,估算的器件特征温度T0为46 K。