GaN垂直腔面发射激光器研究进展

作     者：杨天瑞 徐欢 梅洋 许荣彬 张保平 应磊莹 Yang Tianrui;Xu Huan;Mei Yang;Xu Rongbin;Zhang Baoping;Ying Leiying

作者机构：厦门大学电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院)福建厦门361005 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2020年第47卷第7期

页      面：143-157页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：科学挑战专题(TZ2016003) 国家重点研发计划(2016YFB0400803,2017YFE0131500) 

主　　题：激光器 垂直腔面发射激光器 氮化镓 半导体激光器 分布式布拉格反射镜 

摘      要：氮化镓(GaN)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在近20年来获得了飞速发展,已成为下一代半导体激光器的研究热点。GaN是制造从紫外波段到绿色波段光电子器件的绝佳材料,而VCSEL具有阈值和发散角小、调制速率高,以及输出光束呈圆对称等特点。首先回顾了基于GaN的VCSEL的发展历史,简要介绍了它的主要应用方向;然后讨论了反射镜与谐振腔设计与制造中的关键问题;接着分析了三种不同结构的GaN VCSEL的散热机理,并分析讨论了优化散热的策略;最后介绍了基于GaN的蓝色、绿色和紫外VCSEL的研究进展及最新思路。