红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究

作     者：马英俊 林泉 于洪国 马会超 许兴 李万朋 许所成 MA Yingjun;LIN Quan;YU Hongguo;MA Huichao;XU Xing;LI Wanpeng;XU Suocheng

作者机构：有研光电新材料有限责任公司廊坊065001 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2020年第49卷第8期

页      面：1555-1561页

学科分类：07[理学] 0817[工学-化学工程与技术] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：砷化镓 水平布里奇曼法 位错密度 熔区长度 窄熔区技术 载流子浓度分布 

摘      要：GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响。以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10000 cm^-2)的向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污。