半导体微腔激光器中的自发辐射耦合增强效应
Enhancing Effect of Spontaneous Emission in Semiconductor Microcavity Lasers作者机构：西南交通大学计算机与通信工程学院四川成都610031 四川大学光电系四川成都610064
出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)
年 卷 期：2001年第31卷第4期
页 面：216-218,224页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金项目 ( 697770 19) 铁道部科技发展计划基金 ( 97× 2 1)资助项目
主 题：半导体微腔激光器 自发辐射耦合因子 瞬态响应 增强效应
摘 要：针对半导体微腔激光器的结构特点 ,以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应 ,采用光增益与载流子密度的对数关系 ,引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献 ,指出即便是对于理想的封闭微腔 ,由于非辐射衰减速率的影响 ,光输出并不随泵浦线性变化。结合频谱和相图分析 ,给出了自发辐射耦合因子与微腔激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量关系的仿真结果 ,这对于微腔激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益。
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