地磁场下微通道板型光电倍增管性能研究

作     者：苏德坦 叶皓 孙建宁 司曙光 黄国瑞 曹宜起 钱森 李珅 王兴超 任玲 马丽双 SU Detan;YE Hao;SUN Jianning;SI Shuguang;HUANG Guorui;CAO Yiqi;QIAN Sen;LI Shen;WANG Xingchao;REN Ling;MA Lishuang

作者机构：微光夜视技术重点实验室陕西西安710065 北方夜视技术股份有限公司江苏南京211106 中国科学院高能物理研究所北京100049 核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学安徽合肥230026 

出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期：2020年第42卷第8期

页      面：742-746页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：微通道板型光电倍增管 地磁场 聚焦级结构 

摘      要：通过基于电子学取数的测试系统,在地磁场环境对两种不同聚焦级结构的微通道板型光电倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)进行了各项性能测试,例如单光电子谱、后脉冲、渡越时间涨落、信号上升下降时间、收集效率等。并通过改变光电倍增管与地磁场的相对位置,测得不同角度下MCP-PMT的性能,并且经对比屏蔽磁场条件下与地磁场环境下MCP-PMT的性能,定性分析了地磁场对MCP-PMT的性能影响。