BST/MgO复合陶瓷的结构和介电性能

作     者：田化梅 易其林 胡作启 Tian Huamei;Yi Qilin;Hu Zuoqi

作者机构：华中师范大学物理学院湖北武汉430079 华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2008年第36卷第10期

页      面：102-105页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：复合陶瓷 BST/MgO 微观结构 相结构 相对介电常数 介电损耗 

摘      要：采用陶瓷烧结工艺制备了BST/MgO复合陶瓷,研究了不同MgO含量对材料微观结构和介电性能的影响.实验结果表明:BST/MgO复合陶瓷中只存在BST和MgO两相,Mg元素大部分以MgO独立相的形式存在,少部分固溶到BST晶格中;加入MgO有细化晶粒的作用,使晶粒大小更均匀;BST/MgO复合陶瓷比纯BST的相对介电常数和介电损耗均有明显下降,随着MgO质量分数的增加,相对介电常数下降,介电损耗略有增加.当频率为1 MHz,MgO质量分数为20%时,相对介电常数和损耗分别为315和0.004 8.