平面栅SiC MOSFET设计研究

作     者：韩忠霖 白云 陈宏 杨成樾 HAN Zhonglin;BAI Yun;CHEN Hong;YANG Chengyue

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学微电子学院北京100049 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2020年第18卷第4期

页      面：4-9页

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2017YFB1200902) 

主　　题：碳化硅 平面栅MOSFET 导通电阻 载流子扩展层 JFET注入 

摘      要：碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔。平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件。在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标。基于自主研制的1200 V及1700 V SiC MOSFETs,研究了载流子扩展层技术、JFET注入技术以及元胞结构对器件电学特性的影响。测试结果表明采用方形元胞设计的SiC MOSFET的电流明显大于采用条形元胞设计的电流,JFET注入对阈值电压的影响比载流子扩展层技术更小。