22nm FDSOI工艺单粒子瞬态脉宽研究
Study on Single Event Transient Pulse Width of 22nm FDSOI Process作者机构：上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433
出 版 物：《电子技术（上海）》 (Electronic Technology)
年 卷 期：2020年第49卷第2期
页 面：7-9页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：集成电路设计 FDSOI SET 脉冲宽度 单粒子模拟
摘 要：针对空间用集成电路共性技术问题,在22nm FDSOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)工艺上开展单粒子效应技术研究意义重大。设计一款宽量程、高分辨率、精度可校准的SET(Single Event Transient)测试芯片,并经过实际流片和单粒子地面模拟试验,精确标定该工艺标准单元的单粒子脉冲宽度,填补当前辐射效应领域尚无该工艺相应数据的空白,为工艺线上设计空间用高性能电路奠定基础。
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