40Mb单片抗辐射SRAM存储器芯片
40MB Monolithic Radiation Hardened SRAM Memory Chip作者机构：上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433
出 版 物：《电子技术（上海）》 (Electronic Technology)
年 卷 期：2020年第49卷第2期
页 面：1-3页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学]
主 题：集成电路设计 SRAM存储器 单片芯片 单粒子效应 FDSOI工艺
摘 要：抗辐射大容量SRAM存储器是航天航空电子系统中的关键微电路产品。依托先进的22nm FDSOI CMOS工艺制造平台,设计了一款高性能单片40Mb抗辐射异步SRAM。单粒子地面模拟试验结果显示,该大容量SRAM具有优秀的抗单粒子翻转能力,是目前已知具备高抗单粒子性能中容量最大的单片SRAM存储器芯片。
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