强电磁脉冲对硅微惯性传感器的损伤效应研究

作     者：沈杰 潘绪超 方中 何勇 陈鸿 张江南 史云雷 SHEN Jie;PAN Xuchao;FANG Zhong;HE Yong;CHEN Hong;ZHANG Jiangnan;SHI Yunlei

作者机构：南京理工大学智能弹药技术国防重点学科实验室江苏南京210094 工业和信息化部电子第五研究所质量安全检测中心广东广州510610 

出 版 物：《兵工学报》 (Acta Armamentarii)

年 卷 期：2020年第41卷第6期

页      面：1157-1164页

核心收录：

学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0826[工学-兵器科学与技术] 0802[工学-机械工程] 

基　　金：武器装备预先研究基金项目(JZX7Y20190249024801) 

主　　题：电磁脉冲 微惯性传感器 注入试验 损伤模式 

摘      要：为研究强电磁脉冲对单兵外骨骼助力系统上硅微惯性传感器的电磁损伤效应,通过理论计算和试验分析相结合的方法,对硅微惯性传感器的电磁损伤阈值、电磁易损器件和损伤模式开展研究。采用Agrawal传输线理论模型和格林函数法,计算硅微惯性传感器在电磁脉冲环境中由直连线缆耦合并传导至信号传输端口的强电脉冲,并开展信号传输端口的强电脉冲注入试验和传感器损伤模式分析。研究结果表明:硅微惯性传感器的强电脉冲损伤阈值为780 V,电磁易损元器件为前端电容和信号放大器,其主要损伤模式为电容的高电压击穿和放大器的大电流烧毁。