抗坏血酸后处理化学气相法制备的聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜及其热电性能

作     者：王娇 刘少辉 周梦 郝好山 Wang Jiao;Liu Shao-Hui;Zhou Meng;Hao Hao-Shan

作者机构：河南工程学院理学院郑州451191 同济大学材料科学与工程学院上海201804 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2020年第69卷第14期

页      面：196-204页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11847122,51902088) 河南省科技攻关计划(批准号:192102210027,202102210002) 河南省大学生创新创业训练计划(批准号:S201911517008)资助的课题 

主　　题：聚3 4-乙撑二氧噻吩 薄膜 后处理 热电性能 

摘      要：为了获得高热电性能薄膜材料,采用抗坏血酸(VC)作为还原剂对PEDOT-Tos-PPP薄膜进行后处理,研究了不同浓度的VC水溶液对薄膜热电性能的影响,并研究了后处理薄膜在空气中的稳定性.结果表明,经浓度为20%的VC水溶液处理后,薄膜功率因子呈现最大值55.6μW·m^-1·K^-2,是处理之前(32.6μW·m^-1·K^-2)的1.7倍,室温下最大的ZT值为0.032.经过VC处理后PEDOT薄膜的电导率和Seebeck系数在空气中表现出不稳定的特性,主要是由于空气中的氧气导致薄膜表面中性态PEDOT进一步发生氧化引起的.