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TbFeCo磁光盘的静态热磁写入和微米畴观察

作     者:杨克敏 王焕元 王荫君 

作者机构:中国科学院物理研究所 

出 版 物:《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)

年 卷 期:1989年第34卷第7期

页      面:550-552页

核心收录:

学科分类:08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术(可授工学、理学学位)] 

主  题:磁光盘 热磁写入 记录畴 光调制 

摘      要:具有垂直膜面磁各向异性的非晶稀土-过渡族金属(RE-TM)合金薄膜,是作为信息可擦除磁光光盘的高密度存储介质的较为合适的材料。近年来,对此类材料,尤其是铽-铁-钴(Tb-Fe-Co)、钆-铽-铁(Gd-Tb-Fe)等,在静态、动态磁光读-写特性方面的研究,国外报道已很多,国内还仅开始。

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