新原理光电探测阵列的微光响应测试研究

作     者：刘晓艳 王明甲 郭方敏 Liu Xiaoyan;Wang Mingjia;Guo Fangmin

作者机构：华东师范大学教育部极化材料与器件实验室上海200241 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2014年第43卷第8期

页      面：2546-2551页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0704[理学-天文学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家科技部重大科研项目(2006CB932802 2011CB932903) 上海市科委配套(078014194 118014546) 

主　　题：微光读出 量子效应器件 高灵敏度 增益可调读出电路 暗电流 

摘      要：针对暗电流低、灵敏度高等优点的新原理量子效应光电探测器,设计和加工了增益可调CTIA读出电路,以获得宽动态范围读出。读出电路芯片与1×64元量子效应光电探测器集成封装,在室温(300K)条件下进行读出测试研究。光源采用633nmHe-Ne激光器,直径50μm光斑聚焦照射。测试结果表明:器件偏压为-0.1V,激光功率150pW,积分时间78μs,响应电压55mV,电压响应率达到3.67E+08V/W。根据测试结果,提出了进一步降低暗电流影响的改进测试方案。