基于石墨烯被动调Q Nd∶YAG晶体微片激光器
Passively Q-Switched Nd∶YAG Microchip Laser Based on Graphene作者机构：北京工业大学激光工程研究院北京100124
出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)
年 卷 期：2012年第39卷第2期
页 面：40-44页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：北京市自然科学基金重点项目(KZ2011100050011)资助课题
摘 要：设计了以石墨烯作为可饱和吸收体的被动调Q掺钕钇铝石榴石晶体(Nd∶YAG)微片激光器。该激光器采用三明治结构,附有石墨烯薄层的YAG晶体紧密压贴于工作物质Nd∶YAG晶体上,晶体端面镀膜作为端面镜构成平行平面谐振腔。采用光纤耦合输出激光二极管端面抽运技术,利用石墨烯的可饱和吸收作用,在注入功率为1.17W时实现微片激光器的调Q运转,获得波长1064.6nm,重复频率300～807kHz可调,最小脉冲宽度75ns的激光输出。激光器最大输出功率38.4mW,最大单脉冲能量54.7nJ。
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