热退火对SiO_2∶Er薄膜发光特性的影响

作     者：屠炜巍 刘益春 刘玉学 徐长山 慕日祥 邵长路 TU Wei-wei;LIU Yi-chun;LIU Yu-xue;XU Chang-shan;MU Ri-xiang;SHAO Chang-lu

作者机构：东北师范大学先进光电子功能材料研究中心吉林长春130024 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2008年第29卷第1期

页      面：97-101页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家自然科学基金(60576040) 东北师范大学青年教师科学基金(20050205)资助项目 

主　　题：SiO2 缺陷 PL光谱 能量传递 

摘      要：利用离子注入法制备SiO2∶Er样品,并在不同温度下进行退火处理。通过微区拉曼光谱、吸收光谱、X射线光电子能谱等手段对其进行结构表征,并进行了室温和变温的光致发光特性研究,得到了可见区和红外区的光致发光。其中,4S3/2→4I15/2的发光强度随温度的升高,先增强后减弱,呈现出反常的温度淬灭效应,此现象是由Er3+与SiO2的缺陷之间的能量传递造成的。