新型红外探测器InGaAs的阻抗特性研究
THE IMPEDANCE OF A NEW TYPE OF INFRARED DETECTOR InGaAs
作 者：王益萍 姚永强
作者机构：中科院紫金山天文台 江苏 南京
出 版 物：《紫金山天文台台刊》
年 卷 期：1997年第16卷第1期
页 面：53-58页
学科分类：07[理学] 070401[理学-天体物理] 0704[理学-天文学]
主 题：红外探测器 天文仪器 InGaAs 温度 电流 电压
摘 要：本文介绍了作者在日本名古屋大学理学部赤外线研究室设计和制作的一个红外单个探测器InGaAs,以及一种新型的读出回路TIA。给出了它在室温和低温条件下的电流——电压特性曲线,并且与Silicon,S119作了比较。
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