SnO_2(F)、Fe_2O_3和ZnSe(Fe)薄膜厚度的测量

作     者：谭春雨 夏曰源 张汝贞 刘吉田 刘向东 许炳章 李淑英 陈有鹏 张淑芝 Tan Chunyu;Xia Yueyuan;Zhang Ruzhen;Liu Jitian;Liu Xiangdong;Xu Bingzhang;Li Shuying;Chen Youpeng;Zhang Shuzhi Dept. of Physics, Shandong Univ., Jinan Inst. of Optoelectronic Materials and Devices, Shandong Univ., Jinan Dept. of Optics, Shandong Univ., Jinan

作者机构：山东大学物理系 山东大学光电材料与器件研究所 山东大学光学系 

出 版 物：《山东大学学报（自然科学版）》 (Journal of Shandong University(Natural Science Edition))

年 卷 期：1993年第28卷第2期

页      面：189-195页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：山东省自然科学基金 

主　　题：薄膜 厚度 FTO 氧化铁 硒化锌 铁 

摘      要：用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验结果表明,RBS技术的测量数值与椭偏法以及微量天平称重法测得的结果符合得较好。