在硅衬底上制备Si纳米线及其表征
Preparation and Characterization of Silica Nanowires on the Silica Substrate作者机构：石家庄铁道学院材料科学与工程分院石家庄050043 石家庄铁道学院四方学院石家庄050000
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2008年第37卷第3期
页 面：644-647页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05MFeCl2.6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构。试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式。
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