退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流

作     者：赵志波 杨兵 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎 魏珂 Zhao Zhibo;Yang Bing;Kang Xuanwu;Zhang Jing;Wu Hao;Sun Yue;Zheng Yingkui;Wei Ke

作者机构：北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2020年第45卷第4期

页      面：293-297,311页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61804172) 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000,2016YFB0400100) 广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。 

主　　题：AlGaN 台面区域 隔离电流 退火处理 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 

摘      要：针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明,在氧气和氮气氛围退火处理均能降低样品的隔离电流,且经退火处理后样品的隔离电流均处于10-9 A/mm数量级,但在氧气氛围中退火处理会使样品的欧姆接触电阻增大。在氮气氛围下的最佳退火处理条件为400℃、120 s。在该条件下样品经过退火处理后,在200 V直流偏压下测得样品的台面隔离电流仅为4.03×10^-9 A/mm,与未经退火处理的样品相比降低了4个数量级,而且在高温测试中样品的隔离电流仍然能够保持较低的数值。