一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电路
作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
出 版 物：《科协论坛(下半月)》 (Science & Technology Association Forum)
年 卷 期：2011年第5期
页 面：78-80页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：提出了一种具有宽输入范围、高电源抑制比(PSRR)的带隙基准电路的设计方法。它由自偏置电路、两级预调整电路、带隙基准核心电路及反馈控制电路组成。采用TSMC0.25umBCD工艺,电压输入范围从6V到60V,在整个温度范围(-40℃—125℃)内的温漂为7.3ppm/℃,低频下的PSRR为-103dB,在10MHz处仍有-86.7dB。
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